晶體管是三端子半導體器件，端子是E（發射極）、B（基極）和C（集電極）。晶體管可以工作在三個不同的區域，如有源區，截止區和飽和區。晶體管在截止區域工作時關閉，并在飽和區域工作時導通。晶體管在有源區工作時作為放大器工作。晶體管作為放大器的主要功能是增強輸入信號而不會發生太大變化。本文討論晶體管如何作為放大器工作、晶體管原理和作為放大器的晶體管電路設計圖。
晶體管作為放大器
放大器電路可以定義為用于放大信號的電路。放大器的輸入是電流，否則是電流，其中輸出將是放大器輸入信號。使用晶體管的放大器電路，否則晶體管稱為晶體管放大器。晶體管放大器電路的應用主要涉及音頻，無線電，光纖通信等。
所述晶體管結構被分類為三種類型，如CB（共基極），CC（公共的集電極）和CE（共發射極）。但是常見的發射器配置經常用于像音頻放大器這樣的應用中。因為在CB配置中，增益<1，而在CC配置中，增益幾乎等于1。
良好的晶體管參數主要包括高增益，高壓擺率，高帶寬，高線性度，高效率，高i / p阻抗，高穩定性等參數。
作為放大器的晶體管電路設計
通過增強弱信號的強度，晶體管可以用作放大器。在下面的晶體管放大器電路的幫助下，人們可以了解晶體管電路如何作為放大器電路工作。
在下面的電路中，輸入信號可以在發射極 - 基極結和在集電極電路中連接的Rc負載兩端的輸出之間施加。
作為放大器的晶體管電路設計圖
為了準確放大，請始終記住輸入是正向偏置連接，而輸出是反向偏置連接。因此，除了信號之外，我們在輸入電路中施加直流電壓（VEE），如上述電路所示。
通常，輸入電路包括低電阻; 輸入端的信號電壓會發生一點變化，導致發射極電流發生顯著變化。由于晶體管動作，發射極電流的變化將導致集電極電路內的相同變化。
目前，通過Rc的集電極電流在其上產生巨大的電壓。因此，輸入電路上施加的弱信號將以放大的形式在輸出中的集電極電路中出現。在該方法中，晶體管用作放大器。
公共發射極放大器電路圖
在大多數電子電路中，我們通常使用NPN晶體管配置，這被稱為NPN晶體管放大器電路。讓我們考慮分壓器偏置電路，其通常被稱為單級晶體管放大器電路。
基本上，偏置裝置可以用兩個晶體管構建，例如跨越電壓源的分壓器網絡。它以中間點為晶體管提供偏置電壓。這種類型的偏置主要用于雙極晶體管放大器電路設計中。
公共發射極放大器電路圖
在這種偏置中，晶體管將通過將基極偏置保持在恒定的穩定電壓級來降低電流放大效應因子'β'并允許精確的穩定性。可以使用分壓器網絡測量Vb（基極電壓）。
在上述電路中，整個電阻將等于 R1和R2 兩個電阻的數量。在兩個電阻器結處產生的電壓電平將恒定的基極電壓保持在電源電壓。
以下公式是簡單的分壓器規則，用于測量參考電壓。
Vb =（Vcc.R2）/（R1 + R2）
類似的電源電壓也決定了最大的集電極電流，因為晶體管被激活，處于飽和模式。
共同的發射極電壓增益
共發射極電壓增益相當于輸入電壓比內對放大器o / p電壓內的修改的修改。將Vin和Vout視為ΔVB。＆ΔVL
在電阻條件下，電壓增益等于集電極內朝向發射極內信號電阻的信號電阻比為
電壓增益= Vout / Vin =ΔVL/ΔVB= -RL / RE
通過使用上面的等式，我們可以簡單地確定共發射極電路電壓增益。我們知道雙極晶體管包括內置在發射極部分的微小內部電阻，即“Re”。每當內部發射極電阻由外部電阻串聯連接時，定制電壓增益方程如下。
電壓增益= - RL /（RE + Re）
低頻時發射極電路中的整個電阻將等于內部電阻和RE + Re外部電阻的量。
對于該電路，高頻和低頻的電壓增益包括以下內容。
高頻電壓增益= -RL / RE
低頻電壓增益= - RL /（RE + Re）
通過使用上述公式，可以計算放大器電路的電壓增益。
因此，這完全是關于作為放大器的晶體管。從上面的信息，最后，我們可以得出結論，晶體管只有在正確偏置時才能像放大器一樣工作。良好的晶體管有幾個參數，包括高增益，高帶寬，高壓擺率，高線性度，高i / p阻抗，高效率和高穩定性等。
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