場效應管簡介
說到場效應管，它到底有什么作用，到底好在哪些地方呢？這也是這篇文章要講的，現在我們來看看場效應管的簡介，它主要有兩種類型：結型場效應管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。
它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
場效應管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，并以此命名。
由于它僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型晶體管。FET 英文為Field Effect Transistor，簡寫成FET。
場效應管的主要參數
場效應管的參數很多，包括直流參數、交流參數和極限參數，但普通運用時只需關注以下主要參數：飽和漏源電流IDSS夾斷電壓Up，（結型管和耗盡型絕緣柵管，或開啟電壓UT（加強型絕緣柵管）、跨導gm、漏源擊穿電壓BUDS、最大耗散功率PDSM和最大漏源電流IDSM。
（1）飽和漏源電流
飽和漏源電流IDSS是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，柵極電壓UGS＝0時的漏源電流。
（2）夾斷電壓
夾斷電壓UP是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。如同4-25所示為N溝道管的UGS一ID曲線，可明白看出IDSS和UP的意義。如圖4-26所示為P溝道管的UGS-ID曲線。
（3）開啟電壓
開啟電壓UT是指加強型絕緣柵場效應管中，使漏源間剛導通時的柵極電壓。如圖4-27所示為N溝道管的UGS-ID曲線，可明白看出UT的意義。如圖4-28所示為P溝道管的UGS-ID曲線。
（4）跨導
跨導gm是表示柵源電壓UGS對漏極電流ID的控制才能，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。9m是權衡場效應管放大才能的重要參數。
（5）漏源擊穿電壓
漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時，場效應管正常工作所能接受的最大漏源電壓。這是一項極限參數，加在場效應管上的工作電壓必需小于BUDS。
（6）最大耗散功率
最大耗散功率PDSM也是—項極限參數，是指場效應管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。運用時場效應管實踐功耗應小于PDSM并留有—定余量。
（7）最大漏源電流
最大漏源電流IDSM是另一項極限參數，是指場效應管正常工作時，漏源間所允許經過的最大電流。場效應管的工作電流不應超越IDSM。
場效應管的作用，到底好在哪里
場效應管的作用如下：
1.場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。
2.場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。
3.場效應管可以用作可變電阻。
4.場效應管可以方便地用作恒流源。
5.場效應管可以用作電子開關。
6.場效應管在電路設計上的靈活性大。柵偏壓可正可負可零，三極管只能在正向偏置下工作，電子管只能在負偏壓下工作。另外輸入阻抗高，可以減輕信號源負載，易于跟前級匹配。
場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。
場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是既有多數載流子，也利用少數載流子導電，被稱之為雙極型器件。
有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管好。
場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上，因此場效應管在大規模集成電路中得到了廣泛的應用。
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