碳化硅MOSFET有哪些優勢？
（一）開關損耗
碳化硅MOSFET有哪些優勢，下圖1是1200V HighSpeed3 IGBT(IGW40N120H3) 與CoolSiCTM MOSFET (IMW120R045M1) 在同一平臺下進行開關損耗的對比測試結果。母線電壓800V, 驅動電阻RG=2.2Ω，驅動電壓為15V/-5V。使用1200V/20A G5 肖特基二極管 IDH20G120C5作為續流二極管。在開通階段，40A 的電流情況下，CoolSiCTM MOSFET 開通損耗比IGBT 低約50%，且幾乎不隨結溫變化。這一優勢在關斷階段會更加明顯，在25℃結溫下，CoolSiCTM MOSFET 關斷損耗大約是IGBT 的20%，在175℃的結溫下，CoolSiCTM MOSFET 關斷損耗僅有IGBT 的10%（關斷40A電流）。且開關損耗溫度系數很小。
圖1 IGBT與CoolSiCTM開關損耗對比
（二）導通損耗
碳化硅MOSFET有哪些優勢，圖2是1200V HighSpeed3 IGBT (IGW40N120H3) 與CoolSiCTM MOSFET (IMW120R045M1) 的輸出特性對比。常溫下，兩個器件在40A 電流下的導通壓降相同。當小于40A 時，CoolSiCTM MOSFET 顯示出近乎電阻性的特性，而IGBT 則在輸出特性上有一個拐點，一般在1V~2V, 拐點之后電流隨電壓線性增長。當負載電流為15A 時，在常溫下，CoolSiCTM 的正向壓降只有IGBT 的一半，在175℃結溫下，CoolSiCTM MOSFET 的正向壓降約是IGBT 的80%。在實際器件設計中，CoolSiCTM MOSFET比IGBT 具有更低的導通損耗。
圖2 CoolSiCTM 和IGBT導通損耗對比
（三）體二極管續流特性
碳化硅MOSFET有哪些優勢，CoolSiCTM MOSFET的本征二極管有著和SiC肖特基二極管類似的快恢復特性。25℃時，它的Qrr和相同電流等級的G5 SiC 二極管近乎相等。然而，反向恢復時間及反向恢復電荷都會隨結溫的增加而增加。從圖3(a)中我們可以看出，當結溫為175℃時，CoolSiC? MOSFET 的Qrr略高于G5 肖特基二極管。圖3(b)比較了650V 41mΩ Si MOSFET 本征二極管和CoolSiCTM MOSFET 本征二極管的性能。在常溫及高溫下，1200V CoolSiCTM MOSFET 體二極管僅有Si MOSFET 體二極管Qrr的10%。
圖3 CoolSiCTM MOSFET體二極管動態特性
相比其它MOSFET，CoolSiCTM 好在哪兒？
我們已經了解到，SiC材料雖然在擊穿場強、熱導率、飽和電子速率等方面相比于Si材料有著絕對的優勢，但是它在形成MOS（金屬-氧化物-半導體）結構的時候，SiC-SiO2界面電荷密度要遠大于Si-SiO2，這樣造成的后果就是SiC表面電子遷移率要遠低于體遷移率，從而使溝道電阻遠大于體電阻，成為器件通態比電阻大小的主要成分。然而，表面電子遷移率在不同的晶面上有所區別。目前常見的SiC MOSFET 都是平面柵結構，Si-面上形成導電溝道，缺陷較多，電子遷移率低。英飛凌CoolSiCTM MOSFET 采用Trench 溝槽柵結構，導電溝道從水平的晶面轉移到了豎直的晶面，大大提高了表面電子遷移率，使器件的驅動更加容易，壽命更長。
SiC MOSFET在阻斷狀態下承受很高的電場強度，對于Trench 器件來說，電場會在溝槽的轉角處集中，這里是MOSFET耐壓設計的一個薄弱點。
圖4 CoolSiCTM MOSFET剖面示意圖
相比于其它SiC MOSFET, CoolSiCTM MOSFET 有以下獨特的優勢：
a）為了與方便替換現在的Si IGBT，CoolSiCTM MOSFET 推薦驅動電壓為15V，與現在Si 基IGBT驅動需求兼容。CoolSiCTM MOSFET典型閾值電壓4.5V, 高于市面常見的2~3V的閾值電壓。比較高的閾值電壓可以避免門極電壓波動引起的誤觸發。
b）CoolSiCTM MOSFET 有優化的米勒電容Cgd 與柵源電容Cgs 比值，在抑制米勒寄生導通的同時，兼顧高開關頻率。
c）大面積的深P阱可以用作快恢復二極管，具有極低的Qrr 與良好的魯棒性。
d）CoolSiCTM MOSFET提供芯片，單管，模塊多種產品。單管有TO-247 3pin 和 TO-247 4pin，開爾文接法可以防止米勒寄生導通，并減少開關損耗。模塊有EASY1B,EASY 2B, 62mm 等等, 可以覆蓋多種功率等級應用。模塊采用低寄生電感設計，為并聯設計優化，使PCB 布線更容易。
綜上所述，CoolSiCTM MOSFET是一場值得信賴的技術革命，憑借它的獨特結構和精心設計，它將帶給用戶一流的系統效率，更高的功率密度，更低的系統成本。
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