在電子電路中，MOS管和IGBT管會經(jīng)常使用，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似，為什么有些電路中使用MOS管？而有些電路用IGBT管？
現(xiàn)在來講解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別！
場效應管主要分兩種類型，分別是結(jié)型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）
MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導體場效應晶體管，由于這種場效應管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場效應管，MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。
有的MOSFET內(nèi)部有個二極管，這是體二極管，或者叫寄生二極管、續(xù)流二極管。
寄生二極管的作用，兩種解釋：
1、MOSFET的寄生二極管，作用是防止VDD過壓的情況下，燒壞MOS管，因為在過壓對MOS管造成破壞之前，二極管先反向擊穿，將大電流直接到地，從而避免MOS管被燒壞。
2、防止MOS管的源極和漏極反接時燒壞MOS管，也可以在電路有反向感生電壓時，為反向感生電壓提供通路，避免反向感生電壓擊穿MOS管。
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由晶體三極管和MOS管組成的復合型半導體器件，IGBT作為新型電子半導體器件，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電子電路中廣泛應用。
IGBT的電路符號沒有統(tǒng)一，畫原理圖時一般是借用三極管、MOS管的符號，這時可以從原理圖上標注的型號來判斷是IGBT還是MOS管。
同時還要注意IGBT有沒有體二極管，圖上沒有標出并不表示一定沒有，除非官方資料有特別說明，否則這個二極管是存在。
IGBT內(nèi)部的體二極管并非寄生的，而是為了保護IGBT脆弱的反向耐壓而特別設(shè)置的，又稱為FWD（續(xù)流二極管），判斷IGBT內(nèi)部是否有體二極管也并不困難，可以用萬用表測量IGBT的C極和E極，如果IGBT是好的，C、E兩極測得電阻值無窮大，則說明IGBT沒有體二極管。
MOS管和IGBT管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖
IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。
IGBT的理想等效電路如下圖，IGBT實際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存在導通電阻高的缺點，但IGBT克服了這一缺點，在高壓時IGBT仍具有較低的導通電阻。
另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能會慢于MOSFET，因為IGBT存在關(guān)斷拖尾時間，由于IGBT關(guān)斷拖尾時間長，死區(qū)時間也要加長，從而會影響開關(guān)頻率。
在電路中，選用MOS管作為功率開關(guān)管還是選擇IGBT管，如果從系統(tǒng)的電壓、電流、切換功率等因素作為考慮，可以總結(jié)出以下幾點：
總的來說，MOSFET優(yōu)點是高頻特性好，可以工作頻率可以達到幾百kHz、上MHz，缺點是導通電阻大在高壓大電流場合功耗較大；而IGBT在低頻及較大功率場合下表現(xiàn)卓越，其導通電阻小，耐壓高。
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