為了更好的理解，可以通俗的講：通過電場效應原理工作的管子就叫做場效應管。說得再仔細一點，就是利用輸入回路的電場效應 控制 輸出回路的 一種半導體器件就叫做場效應管。
場效應管可以分為 結型 和 柵型 兩種結構，接下來聊一下這兩個東東。
結型場效應管又分為N溝道和P溝道，所謂的N溝道結型場效應管，實質就是在N結（N型半導體）上面做了兩個P區域。如圖中間的N區就像一個溝渠，兩側的P區域好像河流的兩岸。
這就是N溝道結型場效應管（方便記憶）。很顯然，那么P溝道j結型場效應管就是在P型半導體兩側做了倆N區域。
以N溝道結型場效應管為例，引出的電極如上圖已標注，看圖更容易理解一些。
如果此刻在柵-源之間加上一個負向電壓，會出現一個現象如圖
為什么會變成這個樣子，其實在閱讀過之前的文章的學友應該很清楚，為了防止過去的遺忘我們再來重新說一下PN結的那些事，進而來更好的理解當前的問題。
如果只是局部的關注柵（g）源(s)之間以及和構成的回路就可以認為是在一個PN結的兩端加了一個電源 。如下圖所示
柵極也就是P區，P型半導體的形成是在本征半導體鐘添加了三價元素，而硅元素是四價元素，從而導致，一個“雜質”原子相比硅原子少一個核外電子。因而宏觀上面，P型半導體是很缺少自由電子的，也就是空穴是他的多數載流子
源極也就是N區，同樣的是在本征半導體種參入了五價元素，從而導致，N型半導體從宏觀上他的多數載流子是自由電子（同理了，所以不再啰嗦）。
現在是個負電壓。什么意思呢，也就是電流方向是從S（源極）指向g（柵極）的。換句話說也就是從微觀上講自由電子的運動方向是從g流向S的（電流方向和電子運動方向是相反的）。
那么問題來了g（柵極）的少數載流子是電子，明明很缺少自由電子，還要將自由電子流向S(源極)。源極的多數載流子是自由電子。這和擴散運動恰恰是相反的（濃度高的流向濃度低的區域）。從而導致在PN結之間（柵源之間）形成了一道厚厚的耗盡層如上圖紅藍方框。你會發現，耗盡層中是沒有小白點和小黑點的。所謂耗盡層s就是正負電子中和了，不存在任何電位差的這么一塊區域。電子如果想要移動必須是需要一定的電位差或者說濃度差的（說的不夠準確，明白意思即可）。很顯然耗盡層是阻礙電流的，即高電阻區域。
講了這么多，也就明白了，在N溝道結型半導體的柵源，加上負電壓，進而改變電壓絕對值，是可以控制輸入電阻的大小的。 如下圖：
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