N溝道增強型場效應管知識
N溝道增強型場效應管結構如下圖所示：
N溝道增強型
連接 s 極和襯底，在 s 和 g 之間施加正向電壓 Ugs，如下圖所示：
排斥
此時，正電壓排斥襯底中的空穴，使靠近金屬的襯底形成負離子層；同時，PN 結正向偏執，N 中的自由電子吸引到負離子層。
此時，在 s 和 d 之間形成了一個 N 型溝道，稱為反型層，如下圖所示：
反型層
能夠使溝道形成的電壓稱為開啟電壓，表示為 UGS。
溝道形成后，在 d 和 s 之間加正電壓，d 會有電流產生。如下圖所示：
漏電流
但是，當 d 和 s 間電壓增大時，g 和 d 間電壓減小，d 極 PN 結偏置被減弱，溝道開始變窄，直至當 Uds = UGS 時，出現夾斷，稱為預夾斷，如下圖所示：
預夾斷
此時，再增加 d 、s 間電壓，電流也不會有明顯變化。
N溝道增強型場效應管輸出特性曲線如下圖所示：
輸出特性曲線
在可變電阻區，Ugs 和 Uds 都會對輸出漏電流產生影響。而在恒流區，僅 Ugs 對漏電流產生影響。
值得一提的是，當 MOS 管處于恒流區時，漏電流相當于一個由 Ugs 控制的電流源。
在 CCD 的讀出中，使用到了這一結構：
CCD
這與「CCD 的輸出相當于電流源」的結論吻合。
三極管2
上圖中第二個三極管（下）用于清空電平，當三極管導通，s 極電子流向 d。反映在三極管的輸出信號上，g 為高電平時，就是 CCD 輸出信號參考電平前的峰值。
共源極放大電路
上圖為經典的共源極放大電路。
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