一、導通損耗Pdc（與平均直流有關(guān)）
設(shè)開關(guān)管的導通壓降為1V,整流橋的壓降也為1V,則導通損耗Pdc為
二、交流開關(guān)損耗Pac
（a）最理想的晶體管開關(guān)波形電流電壓的轉(zhuǎn)變同時開始,同時結(jié)束。
（b）最惡劣情況的波形，Q1導通時，電壓保持最大值Vdc(max)直到電流達到最大值時才開始下降；關(guān)斷時，電流保持恒定值Io直到Q1電壓達到最大值Vdc時才開始下降。
開關(guān)損耗的的計算非常復雜，與半導體特性的許多變量和開關(guān)器件的驅(qū)動方法有關(guān)，此外，還與實際電路的設(shè)計（包括緩沖電路、負載、能量回饋的設(shè)計）因素有關(guān)。
在開通和關(guān)斷瞬間，Q的損耗由電流和電壓的交疊產(chǎn)生。D的損耗與反向恢復時間有關(guān)，因為在反向恢復瞬間存在電流和電壓應(yīng)力。電感的電流紋波在磁芯材料上產(chǎn)生磁滯和渦流損耗。
開通損耗
若設(shè)
總的開關(guān)損耗為
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