電源模塊發(fā)熱分析
高溫對功率密度高的電源模塊的可靠性影響極其大。高溫會導(dǎo)致電解電容的壽命降低、變壓器漆包線的絕緣特性降低、晶體管損壞、材料熱老化、低熔點焊縫開裂、焊點脫落、器件之間的機(jī)械應(yīng)力增大等現(xiàn)象。有統(tǒng)計資料表明，電子元件溫度每升高2℃，可靠性下降10%。
一、關(guān)鍵器件的損耗
表1是開關(guān)電源關(guān)鍵器件的熱損耗根源，了解器件發(fā)熱原因，為散熱設(shè)計提供理論基礎(chǔ)，能快速定位設(shè)計方案。
表1 主要元器件損耗根源
二、開關(guān)電源熱設(shè)計
從表 1了解關(guān)鍵發(fā)熱器件和發(fā)熱的原因后，可以從以下兩方面入手：
1、從電路結(jié)構(gòu)、器件上減少損耗：如采用更優(yōu)的控制方式和技術(shù)、高頻軟開關(guān)技術(shù)、移相控制技術(shù)、同步整流技術(shù)等，另外就是選用低功耗的器件，減少發(fā)熱器件的數(shù)目，加大加粗印制線的寬度，提高電源的效率；
方案選擇優(yōu)化熱設(shè)計
圖1是同一個產(chǎn)品的熱效果圖，圖 1 中的A圖采用軟驅(qū)動技術(shù)方案，圖 1 中的B圖采用直接驅(qū)動技術(shù)方案，輸入輸出條件一樣，工作30分鐘后測試兩個產(chǎn)品的關(guān)鍵器件溫度，
如表2所示, A圖關(guān)鍵器件MOS的溫度降幅是B圖的32%，關(guān)鍵器件溫度降低同時，提高了產(chǎn)品的可靠性，e所以采用高頻軟開關(guān)技術(shù)或者軟驅(qū)動技術(shù)，能大幅度降低關(guān)鍵器件的表面溫度。
圖1 采用不同驅(qū)動方案后的熱效果圖
表2 主要元器件損耗根源
器件選擇優(yōu)化熱設(shè)計
器件的選擇不僅需要考慮電應(yīng)力，還要考慮熱應(yīng)力，并留有一定降額余量。圖2為一些元件降額曲線，隨著表面溫度增加，其額定功率會有所降低。
圖2 降額曲線
元器件的封裝對器件的溫升有很大的影響。如由于工藝的差異，DFN封裝的MOS管比DPAK（TO252）封裝的MOS管更容易散熱。
前者在同樣的損耗條件下，溫升會比較小。一般封裝越大的電阻，其額定功率也會越大，在同樣的損耗的條件下，表面溫升會比較小。
有時，電路參數(shù)和性能看似正常，但實際上隱藏很大的問題。如圖3所示，某電路基本性能沒有問題，但在常溫下，用紅外熱成像儀一測， MOS管的驅(qū)動電阻表面溫度居然達(dá)到95.2℃。
長期工作或高溫環(huán)境下，極易出現(xiàn)電阻燒壞、模塊損壞的問題。通過調(diào)整電路參數(shù)，降低電阻的歐姆熱損耗，且將電阻封裝由0603改成0805，大大降低了表面溫度。
圖3 驅(qū)動電阻表面溫度
PCB設(shè)計優(yōu)化熱設(shè)計
PCB的銅皮面積、銅皮厚度、板材材質(zhì)、PCB層數(shù)都影響到模塊的散熱。常用的板材FR4（環(huán)氧樹脂）是很好的導(dǎo)熱材料，PCB上元器件的熱量可以通過PCB散熱。特殊應(yīng)用情況下，也有采用鋁基板或陶瓷基板等熱阻更小的板材。
PCB的布局布線也要考慮到模塊的散熱：
發(fā)熱量大的元件要避免扎堆布局，盡量保持板面熱量均勻分布；
熱敏感的元件尤其應(yīng)該遠(yuǎn)離熱量源；
必要時采用多層PCB；
功率元件背面敷銅平面散熱，并用“熱孔”將熱量從PCB的一面?zhèn)鞯搅硪幻妗?/div>
如圖4所示，上面兩圖為沒有采用此方法時，MOS管表面溫度和背面PCB的溫度；下面兩圖為采用“背面敷銅平面加熱孔”方法后，MOS管表面溫度和背面銅平面的溫度，可以看出：
MOS管表面溫度由98.0℃降低了22.5℃；
MOS管與背面的銅平面的溫差大大減小，熱孔的傳熱性能良好。
圖4 背面敷銅加熱孔的散熱效果
2、運用更有效的散熱技術(shù)：利用傳導(dǎo)、輻射、對流技術(shù)將熱量轉(zhuǎn)移，這包括采用散熱器、風(fēng)冷(自然對流和強迫風(fēng)冷)、液冷(水、油)、熱電致冷、熱管等方法。
熱設(shè)計時，還須注意：
對于寬壓輸入的電源模塊，高壓輸入和低壓輸入的發(fā)熱點和熱量分布完全不同，需全面評估。短路保護(hù)時的發(fā)熱點和熱量分布也要評估；
在灌封類電源模塊中，灌封膠是一種良好的導(dǎo)熱的材料。模塊內(nèi)部元件的表面溫升會進(jìn)一步降低。
除了上述提及的電源熱設(shè)計技巧之外，還可以選用高性能的隔離DC-DC電源模塊。
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