MOS管與晶體管的差異：
雙極晶體管：要在集電極中產生電流，必須在基極端子和發射極端子之間施加電流。
MOSFET：在柵極端子和源極端子之間施加電壓時，MOSFET 在漏極中產生電流。MOSFET 的柵極是一層二氧化硅。由于該柵極與源極隔離，向柵極端子施加直流電壓理論上不會在柵極中產生電流（在柵極充電和放電的瞬態產生的電流除外）。
實踐中，柵極中會產生幾納安的微弱電流
當柵極端子和源極端子之間無電壓時，由于漏源極阻抗極高，因此漏極中除泄漏電流之外無電流。
MOS管特性：
由于 MOSFET 是電壓驅動器件（G極加電壓控制電流），因此無直流電流流入柵極。
要開通 MOSFET，必須對柵極施加高于額定柵極閾值電壓 Vth 的電壓。
處于穩態開啟或關斷狀態時，MOSFET 柵極驅動基本無功耗（但是請注意交叉點附近，就是電壓下降與電流上升導致的功耗）。
通過驅動器輸出看到的 MOSFET 柵源電容根據其內部狀態而有所不同。
MOSFET 通常被用作頻率范圍從幾 kHz 到幾百 kHz 的開關器件。這點尤其需要注意。
MOS管最基本的驅動電路
如下所示為MOS管最為基本的驅動電路設計，R1為限流電阻，來限制柵極在剛開始時的充電電流大小，電阻的加入會使得MOS開啟速度減慢，但是可以減小EMC風險。
R2電阻是放電電阻，一是當系統未加電控制時，該電阻可以泄放積累在柵極的電荷，防止靜電擊穿；二是當G極驅動為低電平時，泄放G極電荷，使得G極快速的變為0電位。
這種驅動方式在實際中很常見，多見于直接使用控制器來驅動的方式，個人覺得也是最為實用的驅動方式。
驅動邏輯就是高電平驅動開啟MOS管；低電平驅動關閉MOS管。
推挽電路驅動，推挽電路驅動主要是在需要外部電源時我們使用的，需要使用兩個三極管，請注意必須要NPN和PNP才可以。
高電平時，上管NPN開啟，下管PNP關閉；此時MOS管狀態為驅動開啟；
低電平時，上管NPN關閉，下管PNP開啟，此時MOS管狀態為驅動關閉。
但是實際需要考慮晶體管完全開啟時的Vce電壓。
〈烜芯微/XXW〉專業制造二極管，三極管，MOS管，橋堆等，20年，工廠直銷省20%，上萬家電路電器生產企業選用，專業的工程師幫您穩定好每一批產品，如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯系下方的聯系號碼或加QQ/微信，由我們的銷售經理給您精準的報價以及產品介紹