測(cè)試對(duì)比
以下通過實(shí)測(cè)兩款芯片SLM2184S和IR2184S的性能來說明驅(qū)動(dòng)電流建立時(shí)間對(duì)驅(qū)動(dòng)速度的影響。
表格1對(duì)比了SLM2184S和IR2184S的各項(xiàng)測(cè)試。雖然SLM2184S的峰值源電流[IO+]和峰值灌電流[IO-]比IR2184S的測(cè)試值偏小，但是SLM2184S的電流建立時(shí)間遠(yuǎn)比IR2184S的建立時(shí)間更短。
表格 1：SLM2184S 和IR2184S驅(qū)動(dòng)電流和驅(qū)動(dòng)時(shí)間的對(duì)比
實(shí)測(cè)：SLM2184S vs IR2184S驅(qū)動(dòng)測(cè)試對(duì)比
圖5~圖16: 實(shí)測(cè)SLM2184S的驅(qū)動(dòng)電流和驅(qū)動(dòng)時(shí)間的波形。
圖17~圖28: 實(shí)測(cè)IR2184S的驅(qū)動(dòng)電流和驅(qū)動(dòng)時(shí)間的波形。
SLM2184S驅(qū)動(dòng)測(cè)試波形
IR2184S驅(qū)動(dòng)測(cè)試波形
測(cè)試總結(jié)
從以上實(shí)驗(yàn)測(cè)試可以看到，驅(qū)動(dòng)芯片的驅(qū)動(dòng)速度不僅取決于驅(qū)動(dòng)電流的大小，還受到諸如驅(qū)動(dòng)電流建立時(shí)間、MOSFET的輸入電容等因素的影響。
有些驅(qū)動(dòng)芯片的驅(qū)動(dòng)電流雖然比較大，但由于它的電流上升和下降速度很慢，并沒有很好地發(fā)揮大驅(qū)動(dòng)電流的作用，甚至在大部分應(yīng)用場(chǎng)合下驅(qū)動(dòng)速度（tr和tf）不如驅(qū)動(dòng)電流小的驅(qū)動(dòng)芯片。
因此，在選擇驅(qū)動(dòng)芯片的時(shí)候，不僅要關(guān)注驅(qū)動(dòng)電流的大小，也要關(guān)注在一定負(fù)載電容下的上升、下降時(shí)間。當(dāng)然最為妥當(dāng)?shù)霓k法是根據(jù)實(shí)際選擇的功率管測(cè)量驅(qū)動(dòng)端的波形，從而判斷是否選擇了合適的驅(qū)動(dòng)芯片。
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