DC-DC電源模塊待機(jī)的時(shí)候，輸出端無(wú)負(fù)載 ，但產(chǎn)品又存在待機(jī)損耗，這些損耗都耗在了哪里，又該如何去減小這些損耗呢？
一、啟動(dòng)電路損耗
一般的啟動(dòng)電路都是R+C啟動(dòng)，如圖1左，啟動(dòng)電路中的電阻會(huì)有一定損耗，這個(gè)損耗看起來(lái)不大，但在待機(jī)的時(shí)候，還是占有一定的比重。那該如何減小此損耗呢？再兼容產(chǎn)品啟動(dòng)和短路能力的同時(shí)，R取值越大損耗越小。
還有一種方法是產(chǎn)品啟動(dòng)后，讓R不工作，損耗自然會(huì)變小，如圖1右所示把啟動(dòng)電路改進(jìn)，損耗就會(huì)變小。
圖 1啟動(dòng)電路
二、變壓器的損耗
變壓器的損耗包括鐵損和銅損，變壓器的鐵損受工作頻率和感值的影響，頻率低損耗小，感值高損耗小，所以設(shè)計(jì)變壓器的時(shí)候，要兼顧工作頻率和感量值，在一個(gè)比較合適的值，損耗就會(huì)小；待機(jī)的時(shí)候變壓器銅損是很小的，對(duì)整體的損耗影響甚微，設(shè)計(jì)變壓器的時(shí)候，選擇適當(dāng)?shù)木€徑及匝數(shù)即可。
三、IC損耗
IC都會(huì)有一個(gè)工作電流，使IC能夠正常工作，這個(gè)損耗是無(wú)法避免的，在IC選型的時(shí)候盡量選擇工作電流小的。
四、開(kāi)關(guān)管損耗
輸入端的MOS管Q1在待機(jī)的時(shí)候，主要體現(xiàn)的是開(kāi)關(guān)損耗，所以需要降低待機(jī)時(shí)MOS管的損耗，待機(jī)的工作頻率就要降低。芯片選型的時(shí)候，選擇芯片工作在輕載和空載情況下會(huì)跳頻(即降低空載和輕載的工作頻率)，MOS管要選用低柵荷的，從而降低損耗。
整流管D1損耗包括開(kāi)關(guān)損耗，反向恢復(fù)損耗，導(dǎo)通損耗。整流管選型時(shí)，選擇低導(dǎo)通壓降和反向恢復(fù)時(shí)間短的二極管，可以降低損耗。
圖 2主電路框圖
五、吸收電路的損耗
開(kāi)關(guān)MOS管DS極之間通常會(huì)加一個(gè)小電容如圖2左，用來(lái)吸收管子上的電壓尖峰，MOS管上的這個(gè)吸收電容C5會(huì)損耗能量，在確保管子應(yīng)力有足夠余量的情況下，吸收電容容值越小，損耗越小。
輸出整流管上的RC吸收電路如圖2所示，降低RC吸收的損耗，在電路允許的情況下，減小電容C12容值，減小電阻R6阻值可以降低損耗。
圖 3吸收電路
六、假負(fù)載電阻損耗
大部分的模塊電源產(chǎn)品都會(huì)在輸出端加一個(gè)假負(fù)載，用來(lái)保證模塊在空載或是很輕的負(fù)載情況下產(chǎn)品的穩(wěn)定性，這個(gè)假負(fù)載會(huì)帶來(lái)?yè)p耗。在確保模塊性能穩(wěn)定的情況下，假負(fù)載電阻選擇越大損耗越小。當(dāng)電路不需要接假負(fù)載也能夠穩(wěn)定的工作，可以選擇不加假負(fù)載，這樣假負(fù)載的損耗就不存在了。
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