CMOS門電路
MOS管
電平較低的一端被認(rèn)為是源極。襯底和地相連。
晶體管狀態(tài)由Vg控制。
Vg為低電平--源極和漏極之間無(wú)連接--晶體管斷開(kāi)--開(kāi)關(guān)斷開(kāi)
Vg為高電平--源極和漏極之間相連接--晶體管導(dǎo)通--開(kāi)關(guān)閉合
電平較低的一端被認(rèn)為是源極。襯底和Vdd相連。
晶體管狀態(tài)由Vg控制。
Vg為低電平--源極和漏極之間無(wú)連接--晶體管斷開(kāi)--開(kāi)關(guān)斷開(kāi)
Vg為高電平--源極和漏極之間相連接--晶體管導(dǎo)通--開(kāi)關(guān)閉合
MOS管的漏極D和源極S作為開(kāi)關(guān)兩端接在電路中，開(kāi)關(guān)通斷受柵極G的電壓控制。
CMOS門電路
就是將PMOS與NMOS組合起來(lái)的電路
電路結(jié)構(gòu)
對(duì)于輸入信號(hào)給定一定值，Vff要么被PDN下拉至0，要么被PUN下拉至VDD。
PDN和PUN中晶體管的數(shù)量相同，且兩個(gè)網(wǎng)絡(luò)成對(duì)安排。
若PDN中NMOS的晶體管串行連接，則PUN中PMOS晶體管是并行連接。反之亦然。
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