導(dǎo)電溝道的形成
NMOS管內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖如下，導(dǎo)電溝道未形成前，漏極和源極之間有一反向PN結(jié)，在Ugs=0時(shí)，漏極和源極之間無電流（PN結(jié)擊穿情況等不考慮）。
NMOS管內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖
Ugs > 0時(shí)，金屬板的負(fù)電荷被 電源 正極吸引，金屬板剩下正電荷。由于同性相斥，靠近絕緣層一側(cè)的空穴被排斥，剩下不多的負(fù)電荷，形成了耗盡層。
當(dāng)Ugs繼續(xù)增大，襯底的自由電子被吸引到耗盡層和絕緣層之間，形成反型層，這個(gè)反型層就構(gòu)成了漏極---源極之間的導(dǎo)電溝道。溝道剛形成的電壓叫做Ugs(th)，Ugs越大，溝道越厚，導(dǎo)電溝道電阻越小。
溝道越厚，導(dǎo)電溝道電阻越小
電阻對(duì)電荷的移動(dòng)具有阻礙作用。導(dǎo)電溝道越厚，代表流經(jīng)的電荷越多，阻礙的作用越小，由此Ugs越大，導(dǎo)電溝道越小。
補(bǔ)充
前面說到負(fù)電荷的移動(dòng)是被正極的吸引，比如在電容充電時(shí)，極板一端的電子被正極吸引，負(fù)極放出電子到極板的另一端。根據(jù)這個(gè)對(duì)下面這個(gè)電路有了新的理解。
上面R12的作用是分壓、限流。對(duì)于限流來說，若沒有R12，U6導(dǎo)通后柵極相當(dāng)于接地，有大量的電子移動(dòng)到柵極，會(huì)損壞U6。若加了R12阻礙部分電子的移動(dòng)。加R12后，正極對(duì)于源極和柵極中的電子吸引程度是不同的。
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