襯偏效應(yīng)（體效應(yīng)）
對(duì)于MOS-IC而言，在工作時(shí)，其中各個(gè)MOSFET的襯底電位是時(shí)刻變化著的，若對(duì)器件襯底的電位不加以控制的話，那么就有可能會(huì)出現(xiàn)場(chǎng)感應(yīng)結(jié)以及源-襯底結(jié)出現(xiàn)正偏的現(xiàn)象；一旦發(fā)生這種現(xiàn)象時(shí)，器件和電路的溝道導(dǎo)電作用即告失效。
所以，對(duì)于IC中的MOSFET，需要在襯底與源區(qū)之間加上一個(gè)適當(dāng)高的反向電壓，以使得場(chǎng)感應(yīng)結(jié)始終保持為反偏狀態(tài)，該所加的電壓就稱為襯偏電壓，這樣一來(lái)即可保證溝道始終能夠正常導(dǎo)電。簡(jiǎn)言之，襯偏電壓就是為了防止MOSFET的場(chǎng)感應(yīng)結(jié)以及源結(jié)和漏結(jié)發(fā)生正偏、而加在源-襯底之間的反向電壓。
由于加上了襯偏電壓的緣故，即會(huì)引起若干影響器件性能的現(xiàn)象和問(wèn)題，這就是襯偏效應(yīng)（襯偏調(diào)制效應(yīng)），又稱為MOSFET的體效應(yīng)。
MOS管體效應(yīng)（襯偏效應(yīng)）分析
MOSFET 的體效應(yīng)（body-effect，也叫襯底調(diào)制效應(yīng)/襯偏效應(yīng)），主要是來(lái)源于 MOS 管的 S-B（Source-Bulk）端之間的偏壓對(duì) MOSFET 閾值電壓 vth 的影響：
以 NMOS 的晶體管為例，當(dāng)晶體管的源端的電勢(shì)高于體端電勢(shì)時(shí)，源和體區(qū)的二極管反偏程度增加，柵下面的表面層中將有更多的空穴被吸引到襯底，使耗盡層中留下的不能移動(dòng)的負(fù)離子增多，耗盡層寬度增加，耗盡層中的體電荷面密度 Qdep 也增加。
而從一般的 MOSFET 的閾值電壓的關(guān)系式中 Vth 與 Qdep 的關(guān)系（可以考率 Vth 為 MOS 柵電容提供電荷以對(duì)應(yīng)另一側(cè)耗盡區(qū)固定電荷的大小），可以看到閾值電壓將升高。
在考慮體效應(yīng)之后，MOS 管的閾值電壓可以寫為：
其中 γ 稱為體效應(yīng)因子， 通常與具體工藝相關(guān)。
我們可以在圖二直觀的了解 VSB 對(duì) Vth 的影響，隨著 VSB 電壓的增加，閾值電壓相應(yīng)的增大。
相應(yīng)的, 由于體效應(yīng)的存在, 在 MOSFET 的小信號(hào)模型中, 需要在 gm*VGS 的電流源旁并聯(lián)一個(gè)大小為 gmb*VBS 的電流源。
實(shí)際上，體效應(yīng)也可看成在 MOSFET 中存在由體端電壓控制的寄生的 JFET，若認(rèn)為 MOSFET 的柵電壓通過(guò)柵電容 Cox 控制溝道，則此 JFET 可以認(rèn)為是通過(guò)耗盡區(qū)電容 CD 來(lái)控制溝道的導(dǎo)電能力。
對(duì)于 N 阱工藝，由于阱區(qū)的摻雜濃度一般高于襯底的摻雜濃度，考慮到體效應(yīng)與雜質(zhì)濃度成正比（也可認(rèn)為 N-well 中有更大的耗盡層電容），因此 PMOS 相較 NMOS 有更顯著的體效應(yīng)。
一般可以將PMOS 的 N-well 和 S 端接一起以消除體效應(yīng)時(shí)，但此時(shí)需要注意 N-well 到襯底的電容的影響（這一電容在模型中可能不會(huì)考慮，一般可以假設(shè)電容大小為0.1fF/um^2 ） 確定是否影響電路中的信號(hào)通路。
襯偏效應(yīng)的影響：
1.閾值電壓升高
2.溝道電阻增大
3.產(chǎn)生背柵調(diào)制作用
4.產(chǎn)生襯底電容
5.輸出電阻降低
如何降低襯偏效應(yīng)的影響？
1、將源端與漏端短接。這也是采用的方法，如將NMOS的源漏都接地，將PMOS的源漏都接VDD。
2、改進(jìn)電路結(jié)構(gòu)。對(duì)于某些不能將源漏短接的情況，便只能在電路結(jié)構(gòu)層面上進(jìn)行改進(jìn)。如在CMOS中采用有源負(fù)載。
3、降低襯底的摻雜濃度，或者減小氧化層厚度（增強(qiáng)柵極的控制能力）。
4、源極和襯底短接。這可以完全消除襯偏效應(yīng)的影響，但是這需要電路和器件結(jié)構(gòu)以及制造工藝的支持，并不是在任何情況下都能夠做得到的。
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