IGBT輸出特性曲線的幾個(gè)工作區(qū)：
一、正向阻斷區(qū)（截止區(qū)）
當(dāng)門極電壓 Vge 低于開啟門限電壓 Vge（th）時(shí)，IGBT 內(nèi)部的 MOS 溝道處于夾斷狀態(tài)，此時(shí) IGBT 工作于截止區(qū)。盡管存在外部電壓 Vce，但 IGBT 集電極 - 發(fā)射極之間僅有微弱的漏電流 Ices 流過(guò)。
二、有源區(qū)（線性放大區(qū)）
工作條件與原理 ：當(dāng)門極電壓 Vge 不小于開啟門限電壓 Vge（th），且 Vce 顯著大于 Vge-Vge（th）時(shí)，IGBT 進(jìn)入有源區(qū)。在此區(qū)域，流入 N - 基區(qū)的電子電流 In 受門極電壓的調(diào)控，進(jìn)而約束了 IGBT 內(nèi)部 PNP 晶體管的基極電流，導(dǎo)致空穴電流 Ip 也受到相應(yīng)限制，使得集電極電流 Ic 達(dá)到飽和狀態(tài)（與 MOSFET 類似）。基于集電極電流主要受門極電壓控制這一特性，該區(qū)域被稱為放大區(qū)或有源區(qū)。
技術(shù)應(yīng)用與損耗特點(diǎn) ：常見(jiàn)的有源門極驅(qū)動(dòng)或主動(dòng)門極控制技術(shù)，正是針對(duì) IGBT 在有源區(qū)的開關(guān)軌跡進(jìn)行控制。然而，IGBT 在有源區(qū)內(nèi)運(yùn)行時(shí)損耗較大，應(yīng)盡可能迅速地穿越此區(qū)域。
三、飽和區(qū)
當(dāng) Vge≥Vge（th），并且 Vce 小于 Vge-Vge（th）時(shí)，IGBT 處于飽和區(qū)。此區(qū)域的集電極電流基本不受門極電壓影響，主要由外部電路決定。盡管該區(qū)域曲線與 MOS 類似，但命名不同。這是因?yàn)?IGBT 完全導(dǎo)通后的飽和壓降主要受電導(dǎo)調(diào)制影響，而 MOS 的導(dǎo)通壓降則主要取決于漏極電流，呈現(xiàn)出電阻特性。
四、雪崩擊穿區(qū)
一旦 IGBT 的集電極 - 發(fā)射極電壓 Vce 超過(guò)某一特定最高允許電壓 Vbrces，IGBT 就會(huì)發(fā)生雪崩擊穿現(xiàn)象，致使器件損壞。
五、反向阻斷區(qū)
常規(guī) IGBT 的反向特性 ：常見(jiàn)的非對(duì)稱結(jié)構(gòu) IGBT，其反向電壓阻斷能力遠(yuǎn)不及正向電壓阻斷能力。在工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)，由于多數(shù)負(fù)載為阻感負(fù)載，在 IGBT 關(guān)斷瞬間，必須為負(fù)載提供續(xù)流回路。因此，IGBT 模塊內(nèi)部通常并聯(lián)續(xù)流二極管，使得 IGBT 的反向特性主要由續(xù)流二極管的正向?qū)ㄌ匦詻Q定。
特殊需求與解決方案 ：在某些特殊應(yīng)用場(chǎng)景下，當(dāng)需要 IGBT 具備雙向阻斷能力時(shí)，就會(huì)用到逆阻 IGBT（RB-IGBT）。不過(guò)，這類器件較為罕見(jiàn)，一般難以采購(gòu)到。此時(shí)，可采用 IGBT 與二極管串聯(lián)的方式，以實(shí)現(xiàn)與逆阻 IGBT 相同的功能。
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